ACS Nano·· 5 天前AI 评分40
单片三维堆叠碳纳米管/氧化铟锡互补晶体管实现高频逻辑与集成存储的灵敏放大器
Monolithic 3D Stacked Carbon Nanotube/Indium–Tin–Oxide Complementary Transistors for High-Frequency Logic and Sense Amplifier Integration with Memory
AI 导读
采用后道兼容的p型碳纳米管与n型氧化铟锡沟道，构建了单片三维堆叠异质互补场效应晶体管架构，缓解了双极输运失配与热退化问题。所得CFET反相器统计均匀性良好、转移特性对称，5级环形振荡器实现334 MHz频率与0.3 ns级延迟。基于该CFET的灵敏放大器与ITO基无电容2T0C DRAM单元集成，完成数据写入/读取与信号放大。
来源：ACS Nano · doi.org