准一维紧束缚模型重新解读重掺杂导电高分子的霍尔效应

研究提出用准一维（Q1D）紧束缚模型描述单轴取向高分子薄膜的能带结构，以解释掺杂增加时霍尔效应由 p 型向 n 型的转变。该框架在较宽掺杂范围内使霍尔导出的载流子密度与其他独立测量结果吻合，而传统霍尔系数表达式 R_H = [n_H q]⁻¹ 在重掺杂高分子中会给出非物理的高载流子密度。