Nature Communications·· 18 天前精选AI 评分78
煤基碳点单层作成核层，在二维半导体上集成亚纳米 EOT 高κ氧化物
Integration of high-κ oxide on 2D semiconductors with carbon-dot monolayer assembly as van der Waals interfacial layer
AI 导读
研究团队用煤基石墨烯类碳点经 Langmuir-Schaefer 组装成约 0.4 nm 的密排单层，作为二维材料表面 ALD 生长 HfO2 的成核层，形成碳点/HfO2 双层栅介质。
推荐理由
碳点单层作为 ALD 成核层，为二维半导体上亚纳米 EOT 高κ介质的集成提供了一条可迁移的界面路线。
来源：Nature Communications · doi.org