低红外发射率石墨烯材料：卤素掺杂实现0.15发射率与高化学稳定性

研究团队通过调控前驱体氧化石墨烯的表面化学并配合还原与卤素掺杂，制备出低红外发射率石墨烯材料。该材料载流子迁移率约27.1 cm² V⁻¹ s⁻¹、载流子密度5.73 × 10²⁰ cm⁻³，电导率接近高取向热解石墨，在8–14 µm波段红外发射率低至0.15，与MXene及传统金属材料相当。制备工艺抑制羧基生成以减少对石墨结构的破坏，材料在化学条件下具备长期稳定性并具规模化加工潜力。